MOSFET COOLMOS Bipolar IGBT Diode Photistor |
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| 公司简介 无锡光磊电子科技是一家专业功率半导体产品及方案设计公司，其产品主要应用于功率管理领域。当前光磊的目标市场为消费电子、家用电器、信息技术和大功率能源电子。 公司团队的核心竞争力为功率管理产品的设计、开发和营销，如功率MOSFET, IGBT,肖特基二极管，快恢复整流二极管和集成电路,从事功率半导体研发、运营、销售都有17年以上的经验。 光磊拥有的功率半导体技术能提供整体的系统解决方案，有效地降低功率损耗，提高电路效率和节约电能。在功率半导体开发中，光磊已经拥有的几个关键的技术：包括Bipolar，高压大功率VDMOS（增强型和耗尽型 MOSFET）和 大功率IGBT。 |
| Q: MOS管的工作原理是什么？ A: MOS管的输入、输出特性 MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。 Q: IGBT的工作原理是什么？ A: 深入浅出解析IGBT的工作原理及作用 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。 |
