光磊电子科技有限公司
Guanglei Electronic Technology Co., Ltd.
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快恢复
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自由容器
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公司简介

  无锡光磊电子科技是一家专业功率半导体产品及方案设计公司,其产品主要应用于功率管理领域。当前光磊的目标市场为消费电子、家用电器、信息技术和大功率能源电子。

      公司团队的核心竞争力为功率管理产品的设计、开发和营销,如功率MOSFET, IGBT,肖特基二极管,快恢复整流二极管和集成电路,从事功率半导体研发、运营、销售都有17年以上的经验。

       光磊拥有的功率半导体技术能提供整体的系统解决方案,有效地降低功率损耗,提高电路效率和节约电能。在功率半导体开发中,光磊已经拥有的几个关键的技术:包括Bipolar,高压大功率VDMOS(增强型和耗尽型 MOSFET)和 大功率IGBT。      


常见问题

Q: MOS管的工作原理是什么?

A: MOS管的输入、输出特性

  MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

Q: IGBT的工作原理是什么?

A: 深入浅出解析IGBT的工作原理及作用

  IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。


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