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光磊电子科技有限公司

Guanglei Electronic Technology Co., Ltd.

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类型：	COOLMOS	MOSFET	IGBT	Bipolar	‍Diode	SiC	P-Mos	N+P-Mos	Depletion Mode
封装：	‍TO-92	‍TO-263	‍TO-251	‍TO-252	‍TO-220	TO-220F	TO-3P	TO-247
	SOP-8	‍SOT-89	‍TO-23-3L	TO-23-6L	‍TO-252-5	TO-262
电压：	‍20-60V	‍60-100V	‍100-200V	‍200-400V	‍400-650V	650-700V	700-1000V	1000V+	-100-0V
导通电阻：	‍1-15mΩ	‍15-20mΩ	20-60mΩ	60-150mΩ	150-500mΩ	500-1000mΩ	0.1-1.5Ω	1.5-2Ω	2-8Ω
	‍8-10Ω

20-60V

GL2010E产品资料V1_IMG

GL2010E产品资料V1_IMG

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